| 加工定制：否 | 品牌：EVG | 型号：501 |
| 用途：晶圆键合8寸晶圆 | 别名：阳极键合机 | 规格：N |
主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级***封装以及3D互联、TSV工艺。
主要特点
化降低客户总拥有成本（TCO）
键合温度450度，压力10KN
***的硅片低压契型补偿系统以提高良率
温度均匀性： <+/- 1% ；压力均匀性：<+/- 5%
工艺菜单与其他键合系统通用
高真空键合腔室 (可低至 10-5 mbar，使用分子泵)
开放式腔室设计便于快速转换和维护
基于Windows 的控制软件和操作界面
最小化占地占地面积--- 200 mm键合系统占地 0.88 m2
技术参数
加热器尺寸=晶片尺寸（mm） | 150mm 或200mm | |
最小硅片直径 | 150mm加热器：单一小片或碎片；200mm加热器：100mm | |
键合卡盘/对准系统 | 150mm加热器 | EVG610，EVG620，EVG6200 |
200mm加热器 | EVG6200，MBA300，Smartview | |
键合腔 | 接触压力 | 3.5KN，10KN，20KN |
温度 | 450℃ | |
真空度 | 0.1mbar(标配)，1E-5（可选） | |
阳极键合功率 | 0-2000V，0-50A | |
腔室个数 | 1 | |
上料腔室 | 手动 | |
工艺菜单 | 与其他键合设备兼容 | |
